SF6可用于半导体芯片互连层中钨插塞等金属部件的蚀刻，具备高蚀刻速率和良好的介质层选择性，在14nm、7nm等先进制程的后端制造中已有成熟应用；但因与铜反应残留物多、选择性差，不适用于铜互连层及低k介...

SF6可用于半导体芯片接触孔蚀刻的金属插塞及阻挡层环节，通过与O2、C4F8等气体混合及优化工艺参数，能实现高效、高选择性蚀刻，满足先进制程的精度要求。但因SF6是强温室气体，行业正推动NF3替代及回...