SF6在芯片高深宽比刻蚀中面临多维度技术挑战，包括高深宽比结构下的刻蚀剖面精准控制、微负载效应抑制、大尺寸晶圆等离子体均匀性保障、聚合物沉积与刻蚀的动态平衡、刻蚀损伤控制及先进制程工艺兼容性等，需结合...

SF6在芯片高深宽比刻蚀中面临六大核心难点：刻蚀剖面精准控制难度大，微负载效应制约图形一致性，大尺寸晶圆等离子体均匀性不足，材料选择性动态平衡难，副产物沉积与去除存在矛盾，工艺窗口窄导致稳定性与重复性...