SF6是芯片刻蚀中常用的高选择性刻蚀气体，主要用于硅基材料、难熔金属的刻蚀。不同工艺场景下等离子体功率范围差异显著：深硅刻蚀（TSV/MEMS）中ICP功率800-1800W、RF偏置200-600W...
在芯片刻蚀中，SF6等离子体功率过高会引发多维度问题：刻蚀精度下降，线宽粗糙度超标，良率降低；材料损伤加剧，载流子迁移率下降，器件可靠性降低；设备损耗加快，维护成本翻倍；环境安全风险提升，有毒副产物排...
等离子体功率通过调控SF6等离子体的密度、离子能量及自由基浓度，对芯片刻蚀的速率、选择性、剖面、表面损伤等关键指标产生显著影响。适当提升功率可加快蚀刻速率、增强各向异性，但过高功率会降低刻蚀选择性、增...