温度通过调控SF6等离子体分解、自由基反应及聚合物形成，从多维度影响芯片刻蚀性能：低温（-100℃至0℃）利于形成侧壁钝化层，提升刻蚀选择性与剖面垂直度；高温（100-300℃）加速SF6分解与反应速...

SF6与O2配比通过调控等离子体自由基种类、浓度及聚合物沉积，直接影响半导体蚀刻的速率、选择性、剖面形貌等核心指标。低O2配比（SF6:O2≥7:3）提升蚀刻速率，适配快速深度蚀刻；中O2配比（3:7...