SF6凭借稳定的分子结构与等离子体环境下的高活性分解特性,成为半导体干法刻蚀的核心气体。其分解产生的氟自由基可实现高精度各向异性刻蚀,满足先进制程纳米级结构需求,同时具备优异的刻蚀选择性与低损伤特性,在FinFET、3D NAND等工艺中不可或缺,且通过回收体系实现合规应用。
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