SF6可用于半导体芯片栅极层蚀刻，尤其适用于传统多晶硅栅极的干法蚀刻，具备高蚀刻速率和良好的各向异性，通过与O2混合可实现精准轮廓控制。但在先进高k介质/金属栅极工艺中，因对高k介质层选择性不足及强温...
SF6可用于半导体芯片的源漏极蚀刻，其等离子体产生的氟自由基能高效蚀刻硅及硅化物，通过与O2等气体混合可优化选择性与各向异性，满足源漏极区域的高精度蚀刻需求，在成熟制程中广泛应用，先进制程中需结合工艺...
六氟化硫（SF6）在芯片刻蚀中通过等离子体解离产生F活性粒子，基于不同材料与F粒子的反应速率、产物脱附效率差异，结合工艺参数调控（功率、压力、气体配比）与掩蔽层设计，实现对硅、二氧化硅、金属等材料的选...