六氟化硫环保替代气体研究方向:性能机理与适配场景、全生命周期安全性与经济性、设备结构与材料优化、长期可靠性与标准体系建设。...
在芯片深硅刻蚀中,SF6刻蚀易产生SiF4团聚粉尘,可通过工艺参数调控(射频功率1000-3000W、腔室压力10-50mTorr、添加10-30%O2)、设备结构优化、实时监测反馈、尾气处理回收及定...