SOF2作为SF6的分解产物,具有强腐蚀性,在半导体制造环境中易水解产生HF,会腐蚀芯片的铜互连层、低k介电材料及栅极氧化层,导致电阻上升、漏电增加、阈值电压漂移等问题,尤其对先进制程芯片影响更显著,...