GIS内置局放传感器因SF6分解产物腐蚀失效风险可控，合格产品经试验和运行验证，低浓度下性能稳定，规范使用可满足全生命周期需求。...
SOF2作为SF6的分解产物，具有强腐蚀性，在半导体制造环境中易水解产生HF，会腐蚀芯片的铜互连层、低k介电材料及栅极氧化层，导致电阻上升、漏电增加、阈值电压漂移等问题，尤其对先进制程芯片影响更显著，...
