SF6在芯片高深宽比刻蚀中面临多维度技术挑战，包括高深宽比结构下的刻蚀剖面精准控制、微负载效应抑制、大尺寸晶圆等离子体均匀性保障、聚合物沉积与刻蚀的动态平衡、刻蚀损伤控制及先进制程工艺兼容性等，需结合...
