SF6分解产生的HF对半导体设备的腐蚀速率受浓度、温度、材料类型等多因素影响，差异显著。常温下1%HF水溶液对热氧化SiO2腐蚀速率达100-200 nm/min，对氮化硅仅1-5 nm/min；5%...

SF6可用于半导体芯片隔离层蚀刻，通过等离子体分解产生F自由基，与SiO2、Si3N4等隔离层材料反应生成挥发性产物实现去除。适用于STI、ILD等工艺，具有高蚀刻速率、良好各向异性和高选择性优势，但...