在芯片SF6等离子体刻蚀中，电荷损伤源于带电粒子非均匀沉积引发的电场过强。可通过调控脉冲偏压、气体配比等工艺参数，优化双频电源、静电消除器等设备结构，采用Si3N4钝化层与实时监测技术，结合循环刻蚀工...
