SF6因高GWP需在半导体蚀刻中被替代，主流替代气体包括全氟碳化物、含氟烯烃及混合气体体系。通过工艺优化，含氟烯烃如C5F8的蚀刻速率可达SF6的90%以上，全氟碳化物如C4F8可达80%左右，混合气...
