SF6可用于半导体芯片源漏极层蚀刻，凭借等离子体分解产生的高活性F自由基实现对硅基材料的高效蚀刻，常与Cl2、O2等气体混合以满足源漏极蚀刻对各向异性、选择性及低损伤的严苛要求，在FinFET、GAA...
