最大刻蚀深度 - 六氟化硫产业智库

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六氟化硫在芯片刻蚀中，高深宽比刻蚀的最大深度能达到多少？

SF6是芯片高深宽比刻蚀的核心气体，当前主流工艺中硅通孔刻蚀深度可突破200μm，逻辑芯片接触孔刻蚀深度达2-3μm；前沿技术中深度有望提升至300μm以上，性能受刻蚀参数与工艺组合调控。...

2026-04-17 107