SF6在半导体光刻中作为EUV腔室调控气体，时序配合覆盖预处理、曝光维持、后净化全流程：软烘后30±5秒注入高纯度SF6，曝光中与100kHz光源脉冲同步补充，曝光后25秒抽排至0.5ppm以下再衔接...
