SF6与其他蚀刻气体混合使用时，可通过调控自由基活性与聚合物沉积平衡，显著提升半导体芯片蚀刻的各向异性精度、材料选择性，拓展工艺窗口并降低温室气体排放，适配先进制程的高深宽比结构蚀刻需求，在提升良率的...
六氟化硫（SF6）与其他蚀刻气体混合使用，可提升半导体蚀刻的各向异性与图形精度，优化材料选择性适配多层结构，降低晶圆损伤提升良率，稳定工艺窗口，同时减少SF6用量以符合环保法规，是先进芯片制程的关键工...
在半导体芯片制造的SF6等离子体蚀刻中，压力通过调控等离子体的离子能量、自由基浓度等特性，直接影响蚀刻效果：低压力下物理蚀刻主导，速率低但各向异性好、选择性差，适合精细结构；高压力下化学蚀刻主导，速率...