在半导体芯片制造的等离子刻蚀、CVD、真空检漏等环节，SF6气体的压力检测精度要求因工艺场景而异：刻蚀环节为±0.05%FS至±0.2%FS，CVD环节为±0.1%FS至±0.3%FS，检漏环节为±0...
