针对半导体、光伏等领域化学气相沉积制程后腔体残留清理难、传统模式效率低损耗大的痛点，推出电子级六氟化硫等离子体原位清洗方案，可大幅压缩清理耗时、降本提效，需匹配对应参数，适配高端制造清洁需求。...

在半导体芯片制造的等离子刻蚀、CVD、真空检漏等环节，SF6气体的压力检测精度要求因工艺场景而异：刻蚀环节为±0.05%FS至±0.2%FS，CVD环节为±0.1%FS至±0.3%FS，检漏环节为±0...