在芯片制造SF6刻蚀工艺中，需通过多维度措施避免残留物堆积：优化RF功率、腔体压力等工艺参数，调整SF6与O2、CF4的气体配比，建立远程等离子体清洁与湿法清洁结合的腔体维护机制，采用SiO2/SiN...
